根据《湖南师范大学科技成果转移转化管理办法》（校行发科技字[2020]5号）规定，对“一种提高维持电压的双栅栅控静电释放器件及其制作方法”等三项发明专利权转让相关事项公示如下：
一、成果名称及简介
1. 发明专利：一种提高维持电压的双栅栅控静电释放器件及其制作方法
发明人：金湘亮 汪洋
专利号：ZL201810052904.7
专利权人：湖南师范大学
简介：
本发明公开了一种提高维持电压的双栅栅控静电释放器件，包括衬底，衬底中设有HVNW区，HVNW区内设有P‑body区和NDD区，P‑body区内设有第一P+注入区、第一N+注入区、第一多晶硅栅、第二N+注入区，第二多晶硅栅横跨在HVNW区和P‑body区之间，NDD区中设有第三N+注入区；所述第一N+注入区、第一多晶硅栅、第二N+注入区、第二多晶硅栅、第三N+注入区构成双栅MOSFET场效应管结构。本发明的静电释放器件采用双栅MOSFET场效应管结构，不会使得触发电压提高，并且能够直接提高LDMOS器件的维持电压，抑制LDMOS器件发生导通不均匀现象，提高LDMOS器件的整体二次击穿电流。
2.发明专利：提高维持电压的多晶硅假栅静电释放器件及其制作方法
发明人：金湘亮 汪洋
专利号：ZL201810052801.0
专利权人：湖南师范大学
简介：
本发明公开了一种提高维持电压的多晶硅假栅静电释放器件，包括衬底，衬底中设有HVNW区，HVNW区左半部分内设有P‑body区，P‑body区内设有第一P+注入区、第一N+注入区，第一多晶硅栅横跨在P‑body区和HVNW区交界处，HVNW区右半部分内设有第二N+注入区、第二多晶硅假栅、第三N+注入区、第二P+注入区、第四N+注入区；第二多晶硅假栅构成多晶硅假栅结构。本发明的器件采用多晶硅假栅结构，能够使得LDMOS‑SCR器件结构的ESD放电远离沟道的表面，绝大多数ESD电流应力均从器件结构体内泄放，因此所述器件结构能够承受足够高的静电放电脉冲应力，从而防止器件的表面出现热击穿。
3.发明专利：一种提高维持电压的带假栅静电释放器件及其制作方法
发明人： 金湘亮 汪洋
专利号：ZL201810052905.1
专利权人：湖南师范大学
简介：
本发明公开了一种提高维持电压的带假栅静电释放器件，包括衬底，衬底中设有HVNW区，HVNW区内从左至右依次设有P‑body区和NDD区，所述P‑body区内从左至右依次设有第一P+注入区、第一N+注入区，所述第一多晶硅栅横跨在HVNW区和P‑body区之间，所述NDD区内从左至右依次设有第二N+注入区、第二多晶硅假栅、第三N+注入区；所述第二多晶硅假栅构成多晶硅假栅结构，以提高器件的维持电压。本发明采用多晶硅假栅结构，能够使得LDMOS器件的静电放电远离沟道区域的表面，绝大部分的静电电流均从器件的体内泄放，因此器件能够承受足够高强度的ESD脉冲应力，防止器件的表面发生热击穿现象。
二、拟交易价格
三项发明专利转让价格为9万元。
三、价格形成过程
湖南师范大学与珠海矽联微电子有限公司友好协商，经全体发明人同意，双方同意将该三项发明专利以协议定价9万元转让珠海矽联微电子有限公司。
特此公示，公示期15日，自2024年6月6日起至2024年6月20日。如有异议，请于公示期内以书面形式反映我处404室。
联系人：张麓泉 何志霞
电 话：0731-88872875 E-mail：hnsdkjc@163.com
科技处
2024.6.6
